• MOSFET N-CH 200V PWRPAK SO-8L de los ICs de los circuitos integrados SQJA20EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 200V PWRPAK SO-8L de los ICs de los circuitos integrados SQJA20EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 200V PWRPAK SO-8L de los ICs de los circuitos integrados SQJA20EP-T1_GE3

Datos del producto:

Número de modelo: SQJA20EP-T1_GE3

Pago y Envío Términos:

Detalles de empaquetado: Cinta y carrete (TR)
Tiempo de entrega: 1-2 días laborales
Condiciones de pago: D/A, T/T, Western Union
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Información detallada

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 200V Disipación de energía (máx.): 68W (Tc)
Paquete/caso: PowerPAK® SO-8 Montaje del tipo: Soporte superficial
Empaquetado: Cinta y carrete (TR) Paquete de dispositivo del proveedor: PowerPAK® SO-8

Descripción de producto

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Identificación de Vgs (th) (máximo) @: 3.5V @ 250µA
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Situación sin plomo/situación de RoHS: Sin plomo/RoHS obediente
Descripción detallada: Soporte PowerPAK® SO-8 de la superficie 68W (Tc) del canal N 200V 22.5A (Tc)
Característica del FET: -
Nivel de la sensibilidad de humedad (MSL): 1 (ilimitado)
Tipo del FET: Canal N
Serie: Automotriz, AEC-Q101, TrenchFET®
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C: 22.5A (Tc)
Otros nombres: SQJA20EP-T1_GE3TR
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds: 1300pF @ 25V
Vgs (máximo): ±20V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs: 50 mOhm @ 10A, 10V
Tecnología: MOSFET (óxido de metal)
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs: 27nC @ 10V
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 175°C (TJ)

Problema común

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Q: ¿Cómo investigar/orden SQJA20EP-T1_GE3?
: Haga clic por favor “consiguen el mejor precio” y después hacen clic “SOMETEN”. Cita de la petición.
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: Después de recibir la información, le entraremos en contacto con por el correo electrónico cuanto antes.
Q: ¿Cómo pagar después de pedir SQJA20EP-T1_GE3?
: Aceptamos T/T (alambre de banco), Paypal, Western Union.

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