MOSFET N-CH 200V PWRPAK SO-8L de los ICs de los circuitos integrados SQJA20EP-T1_GE3
Datos del producto:
Número de modelo: | SQJA20EP-T1_GE3 |
Pago y Envío Términos:
Detalles de empaquetado: | Cinta y carrete (TR) |
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Tiempo de entrega: | 1-2 días laborales |
Condiciones de pago: | D/A, T/T, Western Union |
Información detallada |
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Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): | 200V | Disipación de energía (máx.): | 68W (Tc) |
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Paquete/caso: | PowerPAK® SO-8 | Montaje del tipo: | Soporte superficial |
Empaquetado: | Cinta y carrete (TR) | Paquete de dispositivo del proveedor: | PowerPAK® SO-8 |
Descripción de producto
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Identificación de Vgs (th) (máximo) @: | 3.5V @ 250µA |
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Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On): | 7.5V, 10V |
Situación sin plomo/situación de RoHS: | Sin plomo/RoHS obediente |
Descripción detallada: | Soporte PowerPAK® SO-8 de la superficie 68W (Tc) del canal N 200V 22.5A (Tc) |
Característica del FET: | - |
Nivel de la sensibilidad de humedad (MSL): | 1 (ilimitado) |
Tipo del FET: | Canal N |
Serie: | Automotriz, AEC-Q101, TrenchFET® |
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C: | 22.5A (Tc) |
Otros nombres: | SQJA20EP-T1_GE3TR |
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds: | 1300pF @ 25V |
Vgs (máximo): | ±20V |
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs: | 50 mOhm @ 10A, 10V |
Tecnología: | MOSFET (óxido de metal) |
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs: | 27nC @ 10V |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Problema común
Q: ¿Cómo investigar/orden SQJA20EP-T1_GE3?
: Haga clic por favor “consiguen el mejor precio” y después hacen clic “SOMETEN”. Cita de la petición.
Q: ¿Investigación/el orden SQJA20EP-T1_GE3, cuánto tiempo puedo conseguir una contestación?
: Después de recibir la información, le entraremos en contacto con por el correo electrónico cuanto antes.
Q: ¿Cómo pagar después de pedir SQJA20EP-T1_GE3?
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