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Circuitos integrados ICs de NTZD3154NT1G
Datos del producto:
| Número de modelo: | NTZD3154NT1G |
Pago y Envío Términos:
| Detalles de empaquetado: | Cinta y carrete (TR) |
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| Tiempo de entrega: | 1-2 días laborales |
| Condiciones de pago: | D/A, T/T, Western Union |
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Información detallada |
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| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): | 20V | Paquete/caso: | SOT-563, SOT-666 |
|---|---|---|---|
| Montaje del tipo: | Soporte superficial | Empaquetado: | Cinta y carrete (TR) |
| Paquete de dispositivo del proveedor: | SOT-563 | Vgs(th) (Máx.) @ Id.: | 1V @ 250µA |
Descripción de producto
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| Situación sin plomo/situación de RoHS: | Sin plomo/RoHS obediente |
|---|---|
| Descripción detallada: | Soporte superficial SOT-563 del canal N del arsenal 2 del Mosfet 20V (dual) 540mA 250mW |
| Característica del FET: | Estándar |
| Poder - máximo: | 250mW |
| Nivel de la sensibilidad de humedad (MSL): | 1 (ilimitado) |
| Fabricante Standard Lead Time: | 46 semanas |
| Tipo del FET: | Canal N 2 (dual) |
| Serie: | - |
| Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C: | 540mA |
| Número de parte bajo: | NTZD3154N |
| Otros nombres: | NTZD3154NT1GOSTR |
| Capacitancia de la entrada (CISS) (máximo) @ Vds: | 150pF @ 16V |
| Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs: | 550 mOhm @ 540mA, 4.5V |
| Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs: | 2.5nC @ 4.5V |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Problema común
Q: ¿Cómo investigar/orden NTZD3154NT1G?
: Haga clic por favor “consiguen el mejor precio” y después hacen clic “SOMETEN”. Cita de la petición.
Q: ¿Investigación/el orden NTZD3154NT1G, cuánto tiempo puedo conseguir una contestación?
: Después de recibir la información, le entraremos en contacto con por el correo electrónico cuanto antes.
Q: ¿Cómo pagar después de pedir NTZD3154NT1G?
: Aceptamos T/T (alambre de banco), Paypal, Western Union.
