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SSM6L36FE, MOSFET N/P-CH 20V 0.5A/0.33A ES6 de los ICs de los circuitos integrados del LM
Datos del producto:
| Número de modelo: | SSM6L36FE,LM |
Pago y Envío Términos:
| Detalles de empaquetado: | Cinta y carrete (TR) |
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| Tiempo de entrega: | 1-2 días laborales |
| Condiciones de pago: | D/A, T/T, Western Union |
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Información detallada |
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| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): | 20V | Paquete/caso: | SOT-563, SOT-666 |
|---|---|---|---|
| Montaje del tipo: | Soporte superficial | Empaquetado: | Cortar cinta (CT) |
| Paquete de dispositivo del proveedor: | ES6 (1.6x1.6) | Vgs(th) (Máx.) @ Id.: | 1V @ 1mA |
Descripción de producto
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| Situación sin plomo/situación de RoHS: | Sin plomo/RoHS obediente |
|---|---|
| Descripción detallada: | Arsenal N del Mosfet y P-canal 20V 500mA, soporte superficial ES6 (1.6x1.6) de 330mA 150mW |
| Característica del FET: | Puerta del nivel de la lógica |
| Poder - máximo: | 150mW |
| Nivel de la sensibilidad de humedad (MSL): | 1 (ilimitado) |
| Tipo del FET: | N y P-canal |
| Serie: | - |
| Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C: | 500mA, 330mA |
| Número de parte bajo: | SSM6L36 |
| Otros nombres: | SSM6L36FE (TE85LF) CT SSM6L36FE (TE85LF) CT-ND SSM6L36FELMCT |
| Capacitancia de la entrada (CISS) (máximo) @ Vds: | 46pF @ 10V |
| Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs: | 630 mOhm @ 200mA, 5V |
| Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs: | 1.23nC @ 4V |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
Problema común
Q: ¿Cómo investigar/orden SSM6L36FE, LM?
: Haga clic por favor “consiguen el mejor precio” y después hacen clic “SOMETEN”. Cita de la petición.
Q: ¿Investigación/la orden SSM6L36FE, LM, cuánto tiempo puedo conseguir una contestación?
: Después de recibir la información, le entraremos en contacto con por el correo electrónico cuanto antes.
Q: ¿Cómo pagar después de pedir SSM6L36FE, LM?
: Aceptamos T/T (alambre de banco), Paypal, Western Union.
