• STB28N65M2 	MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK de los ICs de los circuitos integrados
STB28N65M2 	MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK de los ICs de los circuitos integrados

STB28N65M2 MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK de los ICs de los circuitos integrados

Datos del producto:

Número de modelo: STB28N65M2

Pago y Envío Términos:

Detalles de empaquetado: Cinta y carrete (TR)
Tiempo de entrega: 1-2 días laborales
Condiciones de pago: D/A, T/T, Western Union
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Información detallada

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): 650V Disipación de energía (máx.): 170W (Tc)
Paquete/caso: TO-263-3, D²Pak (2 conductores + pestaña), TO-263AB Montaje del tipo: Soporte superficial
Empaquetado: Cortar cinta (CT) Paquete de dispositivo del proveedor: D2PAK

Descripción de producto

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Identificación de Vgs (th) (máximo) @: 4V @ 250µA
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Situación sin plomo/situación de RoHS: Sin plomo/RoHS obediente
Descripción detallada: Soporte D2PAK de la superficie 170W (Tc) del canal N 650V 20A (Tc)
Característica del FET: -
Nivel de la sensibilidad de humedad (MSL): 1 (ilimitado)
Fabricante Standard Lead Time: 42 semanas
Tipo del FET: Canal N
Serie: MDmesh™ M2
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C: 20A (Tc)
Otros nombres: 497-15456-1
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds: 1440pF @ 100V
Vgs (máximo): ±25V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs: 180 mOhm @ 10A, 10V
Tecnología: MOSFET (óxido de metal)
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs: 35nC @ 10V
Temperatura de funcionamiento: 150°C (TJ)

Problema común

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: Aceptamos T/T (alambre de banco), Paypal, Western Union.

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