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STD86N3LH5 MOSFET N-CH 30V 80A DPAK de los ICs de los circuitos integrados
Datos del producto:
| Número de modelo: | STD86N3LH5 |
Pago y Envío Términos:
| Detalles de empaquetado: | Cinta y carrete (TR) |
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| Tiempo de entrega: | 1-2 días laborales |
| Condiciones de pago: | D/A, T/T, Western Union |
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Información detallada |
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| Voltaje de drenaje a fuente (Vdss): | 30v | Disipación de energía (máx.): | 70W (Tc) |
|---|---|---|---|
| Paquete/caso: | TO-252-3, DPak (2 conductores + pestaña), SC-63 | Montaje del tipo: | Soporte superficial |
| Empaquetado: | Cinta y carrete (TR) | Paquete de dispositivo del proveedor: | DPAK |
Descripción de producto
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| Identificación de Vgs (th) (máximo) @: | 2.5V @ 250µA |
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| Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On): | 5V, 10V |
| Situación sin plomo/situación de RoHS: | Sin plomo/RoHS obediente |
| Descripción detallada: | Soporte DPAK de la superficie 70W (Tc) del canal N 30V 80A (Tc) |
| Característica del FET: | - |
| Nivel de la sensibilidad de humedad (MSL): | 1 (ilimitado) |
| Tipo del FET: | Canal N |
| Serie: | Automotriz, AEC-Q101, STripFET™ V |
| Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C: | 80A (Tc) |
| Otros nombres: | 497-8890-2 |
| Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds: | 1850pF @ 25V |
| Vgs (máximo): | ±20V |
| Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs: | 5 mOhm @ 40A, 10V |
| Tecnología: | MOSFET (óxido de metal) |
| Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs: | 14nC @ 5V |
| Temperatura de funcionamiento: | 175°C (TJ) |
Problema común
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