• Componentes del MOSFET N-CH 25V 60A 8SON ic de Crystal Oscillator del circuito CSD16340Q3
Componentes del MOSFET N-CH 25V 60A 8SON ic de Crystal Oscillator del circuito CSD16340Q3

Componentes del MOSFET N-CH 25V 60A 8SON ic de Crystal Oscillator del circuito CSD16340Q3

Datos del producto:

Número de modelo: CSD16340Q3

Pago y Envío Términos:

Detalles de empaquetado: Cinta y carrete (TR)
Tiempo de entrega: 1-2 días del trabajo
Condiciones de pago: D/A, T/T, Western Union
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Información detallada

Drene al voltaje de la fuente (Vdss): 25V Disipación de poder (máxima): 3W (TA)
Paquete/caso: 8-PowerTDFN Montaje del tipo: Soporte superficial
Empaquetado: Corte la cinta (los CT) Paquete del dispositivo del proveedor: 8-VSON-CLIP (3.3x3.3)

Descripción de producto

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Identificación de Vgs (th) (máximo) @: 1.1V @ 250µA
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Situación sin plomo/situación de RoHS: Contiene la ventaja/RoHS obedientes
Descripción detallada: Canal N 25V 21A (TA), soporte 8-VSON-CLIP (3.3x3.3) de la superficie de 60A (Tc) 3W (TA)
Nivel de la sensibilidad de humedad (MSL): 1 (ilimitado)
Fabricante Standard Lead Time: 35 semanas
Tipo del FET: Canal N
Serie: NexFET™
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C: 21A (TA), 60A (Tc)
Otros nombres: 296-25646-1
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds: 1350pF @ 12.5V
Vgs (máximo): +10V, -8V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs: 4,5 mOhm @ 20A, 8V
Tecnología: MOSFET (óxido de metal)
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs: 9.2nC @ 4.5V
Temperatura de funcionamiento: -55°C ~ 150°C (TJ)

 

Puntos culminantes calientes de las ofertas

 

Modelo del producto Marca
XA6SLX25T-3CSG324I XILINX
XA6SLX25T-3CSG324Q XILINX
XA6SLX45T-3CSG324Q XILINX
XA6SLX45T-3CSG324I XILINX
XA6SLX45T-2CSG324I XILINX
XA7S6-1CSGA225Q XILINX
XC7S6-L1CPGA196I XILINX
XA7S6-1CPGA196Q XILINX
XA7S6-1CPGA196I XILINX
XC7S6-1CPGA196Q XILINX

 

Problema común

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