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Fabricación PARALELA del FLASH los 512M IC de S29GL512T11FAIV10 IC Chip Tool IC
Datos del producto:
| Número de modelo: | S29GL512T11FAIV10 |
Pago y Envío Términos:
| Detalles de empaquetado: | Cinta y carrete (TR) |
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| Tiempo de entrega: | 1-2 días del trabajo |
| Condiciones de pago: | D/A, T/T, Western Union |
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Información detallada |
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| Tiempo de acceso: | 110ns | Tipo de la memoria: | Permanente |
|---|---|---|---|
| Situación sin plomo/situación de RoHS: | Verificación/RoHS del inventario de la petición no-obediente | Descripción detallada: | FLASH - NI memoria IC 512Mb (los 64M x 8) 110ns paralelo |
| Voltaje - fuente: | 1,65 V ~ 3,6 V | Tamaño de la memoria: | 512Mb (los 64M x 8) |
Descripción de producto
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| Interfaz de la memoria: | Paralelo |
|---|---|
| Escriba la duración de ciclo - palabra, página: | 60ns |
| Nivel de la sensibilidad de humedad (MSL): | 3 (168 horas) |
| Serie: | GL-T |
| Formato de la memoria: | FLASH |
| Tecnología: | FLASH - NI |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 85°C (TA) |
Puntos culminantes calientes de las ofertas
| Modelo del producto | Marca |
| MMBZ33VAL | NEXPERIA |
| MAX96706GTJ/V+T | MÁXIMA |
| MAX823SEUK+T | MÁXIMA |
| MAX809SEUR+T | MÁXIMA |
| MAX705ESA+T | MÁXIMA |
| MAX6063AEUR+T | MÁXIMA |
| MAX485EPA+ | MÁXIMA |
| MAX485EESA+T | MÁXIMA |
| MAX40200ANS+T | MÁXIMA |
| MAX3491ESD+T | MÁXIMA |
Problema común
Q: ¿Cómo investigar/orden S29GL512T11FAIV10?
: Haga clic por favor “consiguen el mejor precio” y después hacen clic “SOMETEN”. Cita de la petición.
Q: ¿Investigación/el orden S29GL512T11FAIV10, cuánto tiempo puedo conseguir una contestación?
: Después de recibir la información, le entraremos en contacto con por el correo electrónico cuanto antes.
Q: ¿Cómo pagar después de pedir S29GL512T11FAIV10?
: Aceptamos T/T (alambre de banco), Paypal, Western Union.
